C30B - Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J 3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); устройства для вышеуказанных целей [3]
Примечание :
(1) В данном подклассе применяемые термины означают следующее:
- "монокристалл" - продукт, состоящий преимущественно из монокристаллов, но содержащий также и двойниковые кристаллы [3];
- "гомогенный поликристаллический материал" - материал, состоящий из кристаллических частиц одинакового химического состава [5];
- "определенная структура" - структура материала, состоящего из зерен, ориентированных определенным образом или имеющих размеры больше, чем получаемые в обычных условиях [5].
(2) В данном подклассе
- получение монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой из особых веществ или особой формы классифицируется как в группе для используемого способа, так и в группе C30B 29/00 [3];
- устройства, специально предназначенные для осуществления определенного способа, классифицируются в соответствующей группе для способа. Устройства, используемые в нескольких видах способов, классифицируются в группе C30B 35/00 [3].
Содержание :
ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ:
из твердых веществ или гелейC30B 1/00,C30B 3/00,C30B 5/00
из жидкостейC30B 7/00,C30B 21/00,C30B 27/00
из паровC30B 23/00,C30B 25/00
ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЛИ ГОМОГЕННОГО ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА С ОПРЕДЕЛЕННОЙ СТРУКТУРОЙC30B 28/00,C30B 30/00
МОНОКРИСТАЛЛЫ ИЛИ ГОМОГЕННЫЙ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ С ОПРЕДЕЛЕННОЙ СТРУКТУРОЙC30B 29/00
ПОСЛЕДУЮЩАЯ ОБРАБОТКАC30B 31/00,C30B 33/00
УСТРОЙСТВАC30B 35/00

Выращивание монокристаллов из твердого состояния или гелей [3]
C30B 1/00 Выращивание монокристаллов непосредственно из твердого состояния (однонаправленное разделение эвтектик на составные части C30B 3/00; под защитной жидкостью C30B 27/00) [3]
C30B 3/00 Однонаправленное разделение эвтектик на составные части [3]
C30B 5/00 Выращивание монокристаллов из гелей (под защитной жидкостью C30B 27/00) [3]
Выращивание монокристаллов из жидкостей; однонаправленное отвердевание эвтектик [3]
C30B 7/00 Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (из расплавленных растворителей C30B 9/00; обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте C30B 11/00; под защитной жидкостью C30B 27/00) [3]
C30B 9/00 Выращивание монокристаллов из расплавов с использованием расплавленных растворителей (обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте C30B 11/00; зонной плавкой C30B 13/00; вытягиванием кристаллов C30B 15/00; на погруженном затравочном кристалле C30B 17/00; жидкофазным выращиванием эпитаксиальных слоев C30B 19/00; под защитной жидкостью C30B 27/00) [3]
C30B 11/00 Выращивание монокристаллов обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте, например по методу Бриджмена-Стокбаргера (C30B 13/00, C30B 15/00,C30B 17/00,C30B 19/00 имеют преимущество; под защитной жидкостью C30B 27/00) [3]
C30B 13/00 Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой (C30B 17/00 имеет преимущество; изменением поперечного сечения обрабатываемого твердого тела C30B 15/00; под защитной жидкостью C30B 27/00; для выращивания гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой C30B 28/00; зонная очистка особых материалов классифицируется в соответствующих подклассах для материалов) [3,5]
C30B 15/00 Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского (под защитной жидкостью C30B 27/00) [3]
C30B 17/00 Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу Накена-Киропулоса (C30B 15/00 имеет преимущество) [3]
C30B 19/00 Жидкофазное выращивание эпитаксиальных слоев [3]
C30B 21/00 Однонаправленное отвердевание эвтектик [3]
Выращивание монокристаллов из паров [3]
C30B 23/00 Выращивание монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала [3]
C30B 25/00 Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы [3]
C30B 27/00 Выращивание монокристаллов под защитной жидкостью [3]
C30B 28/00 Получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [5]
C30B 29/00 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой (сплавы C22C) [3,5]
Примечание :

При отсутствии специального указания в рубриках C30B 29/02- C30B 29/58 материал классифицируется по последней подходящей рубрике [3].

C30B 30/00 Производство монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой, отличающееся воздействием электрического или магнитного полей, волновой энергии или других специфических физических условий [5]
Примечание :

При классифицировании в данной группе классифицирование также проводится в группах C30B 1/00-C30B 28/00 в соответствии со способом роста кристалла [5].

Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [3,5]
C30B 31/00 Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей [3,5]
C30B 33/00 Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (C30B 31/00 имеет преимущество; шлифование, полирование B24; тонкая механическая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов B28D 5/00) [3,5]
C30B 35/00 Устройства вообще, специально предназначенные для выращивания, получения или последующей обработки монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой [3,5]